Pengantar BJT dan FET
Baik BJT (Bipolar Junction Transistor) dan FET (Field Effect Transistor) merupakan dua jenis transistor.
Transistor adalah perangkat semikonduktor elektronik yang memberikan sinyal output listrik yang sangat berubah untuk perubahan kecil pada sinyal input kecil.
Karena kualitas ini, perangkat dapat digunakan sebagai penguat atau sakelar.
Transistor dirilis pada tahun 1950-an dan dapat dianggap sebagai salah satu penemuan terpenting di abad ke-20 mengingat kontribusinya terhadap perkembangan TI.
Berbagai jenis arsitektur untuk transistor telah diuji.
Bipolar Junction Transistor (BJT)
BJT terdiri dari dua persimpangan PN (persimpangan yang dibuat dengan menghubungkan semikonduktor tipe ap dan semikonduktor tipe n).
Kedua persimpangan ini dibentuk dengan menghubungkan tiga bagian semikonduktor dalam urutan PNP atau NPN.
Di sana tersedia dua jenis BJT yang dikenal sebagai PNP dan NPN.
Tiga elektroda dihubungkan ke tiga bagian semikonduktor ini dan timah tengah disebut ‘basis’.
Dua persimpangan lainnya adalah ‘emitor’ dan ‘kolektor’.
Dalam BJT, arus emitor kolektor besar (Ic) dikendalikan oleh arus emitor basis kecil (IB) dan properti ini dieksploitasi untuk merancang amplifier atau sakelar.
Di sana untuk itu dapat dianggap sebagai perangkat yang digerakkan saat ini.
BJT banyak digunakan dalam rangkaian amplifier.
Transistor Efek Medan (FET)
FET terbuat dari tiga terminal yang dikenal sebagai ‘Gate’, ‘Source’ dan ‘Drain’.
Di sini tiriskan arus dikendalikan oleh tegangan gerbang.
Oleh karena itu, FET adalah perangkat yang dikontrol tegangan.
Bergantung pada jenis semikonduktor yang digunakan untuk sumber dan tiriskan (dalam FET keduanya terbuat dari jenis semikonduktor yang sama), FET dapat berupa perangkat saluran N atau saluran P.
Sumber untuk mengalirkan aliran arus dikendalikan dengan menyesuaikan lebar saluran dengan menerapkan tegangan yang sesuai ke gerbang.
Ada juga dua cara untuk mengontrol lebar saluran yang dikenal sebagai penipisan dan peningkatan.
Oleh karena itu FET tersedia dalam empat jenis berbeda seperti saluran N atau saluran P dengan mode penipisan atau peningkatan.
Ada banyak jenis FET seperti MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET), HEMT (High Electron Mobility Transistor) dan IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor).
CNTFET (Carbon Nanotube FET) yang dihasilkan dari pengembangan nanoteknologi merupakan anggota terbaru dari keluarga FET.
|
Perbedaan antara BJT dan FET 1. BJT pada dasarnya adalah perangkat yang digerakkan arus, meskipun FET dianggap sebagai perangkat yang dikendalikan tegangan. 2. Terminal BJT dikenal sebagai emitor, kolektor, dan basis, sedangkan FET terbuat dari gerbang, sumber, dan saluran pembuangan. 3. Di sebagian besar aplikasi baru, FET digunakan daripada BJT. 4. BJT menggunakan elektron dan lubang untuk konduksi, sedangkan FET hanya menggunakan salah satunya dan karenanya disebut sebagai transistor unipolar. 5. FET lebih hemat daya daripada BJT. |