Pengantar BJT dan IGBT
BJT (Bipolar Junction Transistor) dan IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) merupakan dua jenis transistor yang digunakan untuk mengontrol arus. Kedua perangkat memiliki sambungan PN dan berbeda dalam struktur perangkat.
Meskipun keduanya transistor, mereka memiliki perbedaan karakteristik yang signifikan. BJT (Bipolar Junction Transistor)
BJT adalah jenis transistor yang terdiri dari dua sambungan PN (persimpangan yang dibuat dengan menghubungkan semikonduktor tipe ap dan semikonduktor tipe n).
Kedua persimpangan ini dibentuk dengan menghubungkan tiga bagian semikonduktor dalam urutan PNP atau NPN. Oleh karena itu tersedia dua jenis BJT, yang dikenal sebagai PNP dan NPN.
Tiga elektroda dihubungkan ke tiga bagian semikonduktor ini dan timah tengah disebut ‘basis’. Dua persimpangan lainnya adalah ’emitor’ dan ‘kolektor’.
Dalam BJT, arus emitor kolektor besar (I c ) dikendalikan oleh arus basis emitor kecil (I B ), dan properti ini dieksploitasi untuk merancang amplifier atau sakelar. Oleh karena itu, dapat dianggap sebagai perangkat yang digerakkan saat ini.
BJT banyak digunakan dalam rangkaian amplifier. IGBT (Transistor Bipolar Gerbang Terisolasi)
IGBT adalah perangkat semikonduktor dengan tiga terminal yang dikenal sebagai ‘Emitter’, ‘Collector’ dan ‘Gate’.
Ini adalah jenis transistor, yang dapat menangani jumlah daya yang lebih tinggi dan memiliki kecepatan peralihan yang lebih tinggi sehingga sangat efisien. IGBT telah diperkenalkan ke pasar pada 1980-an.
IGBT memiliki fitur gabungan dari MOSFET dan bipolar junction transistor (BJT). Ini adalah gerbang yang digerakkan seperti MOSFET dan memiliki karakteristik tegangan arus seperti BJT.
Oleh karena itu memiliki keuntungan dari kemampuan penanganan arus tinggi, dan kemudahan kontrol. Modul IGBT (terdiri dari sejumlah perangkat) menangani daya kilowatt.
|
Perbedaan antara BJT dan IGBT 1. BJT adalah perangkat yang digerakkan oleh arus, sedangkan IGBT digerakkan oleh tegangan gerbang 2. Terminal IGBT dikenal sebagai emitor, kolektor, dan gerbang, sedangkan BJT terbuat dari emitor, kolektor, dan basis. 3. IGBT lebih baik dalam penanganan daya daripada BJT 4. IGBT dapat dianggap sebagai kombinasi dari BJT dan FET (Field Effect Transistor) 5. IGBT memiliki struktur perangkat yang kompleks dibandingkan dengan BJT 6. BJT memiliki sejarah panjang dibandingkan dengan IGBT |